淨化(huà)原理(lǐ)：

廢气(qì)在(zài)設備內(nèi)通(tòng)过(guò)具有一(yī)定(dìng)能(néng)量(liàng)的(de)光(guāng)照射，光(guāng)敏半導體(tǐ)材料即被(bèi)光(guāng)激發(fà)出(chū)电子-空(kōng)穴对(duì)，吸附在(zài)t敏半導體(tǐ)表(biǎo)面(miàn)的(de)溶解(jiě)氧、水(shuǐ)及(jí)污染物(wù)分(fēn)子接受光(guāng)生(shēng)电子或(huò)空(kōng)穴，從而(ér)發(fà)生(shēng)一(yī)系(xì)列的(de)氧化(huà)還(huán)原反(fǎn)應(yìng)，使5染物(wù)降解(jiě)为(wèi)二(èr)氧化(huà)碳和(hé)水(shuǐ)等物(wù)質(zhì)。在(zài)外(wài)加紫外(wài)线的(de)作(zuò)用下(xià)，介質(zhì)放(fàng)电産生(shēng)大(dà)量(liàng)攜能(néng)电子轟擊污染物(wù)分(fēn),使其(qí)电離、解(jiě)離和(hé)激發(fà)，然后便引發(fà)一(yī)系(xì)列複雜的(de)物(wù)理(lǐ)、化(huà)学反(fǎn)應(yìng)，使複雜的(de)大(dà)分(fēn)子污染物(wù)轉(zhuǎn)變(biàn)为(wèi)單小分(fēn)子安(ān)全(quán)物(wù)質(zhì)，從而(ér)使污染物(wù)得以(yǐ)降解(jiě)去(qù)除。然后很小部(bù)分(fēn)未被(bèi)裂解(jiě)的(de)污染物(wù)进入(rù)活性(xìng)炭吸附床(chuáng)，，機(jī)污染物(wù)被(bèi)吸附于(yú)活性(xìng)炭的(de)微孔之(zhī)中(zhōng)，然后排放(fàng)潔淨的(de)气(qì)體(tǐ)。

規格參數表(biǎo)：